Atšķirība starp DDR, DDR2 un DDR3 RAM

tautas salīdzinājumi

Galvenā atšķirība: DDR (DDR1), DDR2 un DDR3 ir dažādi SDRAM veidi, ko izmanto datoros. DDR2 nodrošina ātrāku pārsūtīšanas ātrumu, autobusa pulksteni un ir daudz draudzīgāks salīdzinājumā ar DDR1. DDR3 ir tās pašas tehnoloģijas uzlabota versija. Tas nodrošina ātrāku autobusu ātrumu un lielāku maksimālo caurlaidspēju nekā agrākās atmiņas tehnoloģijas. Visas trīs atmiņas atšķiras dažādos kontekstos, piemēram, tehniskajās un fizikālajās specifikācijās.

RAM vai brīvpiekļuves atmiņa ir svarīga datora daļa, jo tā kalpo kā īstermiņa atmiņas loma. Atmiņa nodrošina iespēju glabāt datus uz laiku. RAM ir daudzpusīga versiju un ātrumu ziņā. Ir jāsaprot atšķirība starp dažādiem RAM veidiem, pretējā gadījumā var rasties saderības problēmas starp datoru un RAM.

DDR nozīmē Double Data Rate. DDR RAM ļauj divreiz pārsūtīt datus uz pulksteni. DDR, DDR2 un DDR3 ir dažādas versijas, kuru pamatā ir viena un tā pati DDR tehnoloģija. Visu trīs RAM dizains ir balstīts uz sinhronās dinamiskās brīvpiekļuves atmiņu. DDR tiek dēvēts arī par dubultu sūkni, divējāda sūkņa un dubultās pārejas procesu.

DDR vai DDR1 ietilpst pirmās paaudzes kategorijā, kas attīstās no SDRAM tehnoloģijas. Sākotnējā tehnoloģijā tika izstrādāti uzlabojumi, kas saistīti ar datu ielādi, dubultās pārejas pulksteni, stroba datu bāzi un Stub sērijas terminālu Logic_2 (SSTL_2) zemsprieguma signalizāciju utt.

DDR2 ietilpst otrajā paaudzē, un to var uzskatīt par DDR1 pēcteci. Tas spēj nodrošināt datu pārraides ātrumu līdz pat 6, 4 GB / s. Ir zināms, ka tas nodrošina zemāku patēriņu salīdzinājumā ar DDR1. Sakarā ar ātrākiem pulksteņiem, 1, 8 V darbību un signalizāciju, kā arī vienkāršotu komandu komplektu, DDR2 ir uzlabojis veiktspēju salīdzinājumā ar iepriekšējo.

DDR3 (trešās paaudzes DDR SDRAM) ir vēl viena uzlabota DDR2 versija. Tas ir īpaši uzlabojis joslas platumu un enerģijas patēriņu. DDR3 darbojas pulksteņu ātrumā no 400 MHz līdz 1066 MHz ar teorētisko maksimālo joslas platumu no 6, 40 GB / s līdz 17 GB / s. DDR3 standarts ļauj čipu ietilpībai 512 megabitiem līdz 16 gigabaitiem.

DDR1 ir novecojis, tāpēc šodien tas netiek ražots masveidā. DDR2 un DDR3 priekšroka tiek dota labākiem rezultātiem.

DDR, DDR2 un DDR3 RAM salīdzinājums:

	DDR RAM	DDR2 RAM	DDR3 RAM
Pilna forma	Divkārša datu pārraides ātruma 1 nejauša piekļuves atmiņa	Divkārša datu pārraides ātruma 2 nejaušās piekļuves atmiņa	Dubultā datu pārraides ātruma 3 gadījuma piekļuves atmiņa
Maksimālais teorētiskais pārraides ātrums (MB / s)	DDR200 -1600 DDR266 - 2133 DDR333 - 2666 DDR400 - 3200	DDR2 (400) - 3200 DDR2 (533) - 4266 DDR2 (667) - 5333 DDR2 (800) - 6400 DDR2 (1066) - 8533	DDR3 (800) - 6400 DDR3 (1066) - 8500 DDR3 (1333) - 10666 DDR3 (1600) - 12800
Autobusu ātrums (MHz)	DDR200 -100 DDR266 - 133 DDR333 - 166 DDR400 - 200	DDR2 (400) - 200 DDR2 (533) - 266 DDR2 (667) - 333 DDR2 (800) - 400	DDR3 (800) - 400 DDR3 (1066) - 533 DDR3 (1333) - 667 DDR3 (1600) - 800
spriegums	Darbojas ar salīdzinoši augstāko spriegumu.	Zemāks nekā DDR un augstāks salīdzinājumā ar DDR3.	Darbojas ar salīdzinoši zemāko spriegumu.
Tipisks latentums	3	5	7
Tapu skaits	184	240	240
Iespējas	Prefetching - pamatojoties uz 2n-prefetch arhitektūru. Dubultās pārejas pulksteņi - nodrošina divreiz lielāku SDRAM joslas platumu bez nepieciešamības palielināt pulksteņa frekvenci. Stubs sērija izbeigta Logic_2 (SSTL_2) zemsprieguma signalizācijas tehnoloģija - izmanto 2, 5 V signāla specifikāciju SSTL_2. Datu bāze, kas balstīta uz strobiem - izmanto datu precīzākai atrašanās vietas noteikšanai.	240 kontaktu savienotājs Ātrāki pulksteņi 1, 8 V darbība un signalizācija Vienkāršota komandu kopa	Astoņu bitu prefetch buferis saglabā vairāk datu nekā DDR2 4 bitu buferis. Lidojums ar topoloģiju komandām, adresēm, vadības signāliem un pulkstenim, lai uzlabotu signālu integritāti. 1.5 V signāli samazina enerģijas patēriņu no 1, 8 V signāla DDR2. DIMM modulī iebūvētais siltuma sensors signalizē mikroshēmu ar droseles atmiņas trafiku.
Iepakojums	Plāns maza kontūra pakete	Ball Grid Array	Ball Grid Array
Veiksmīgi	DDR2	DDR3	DDR4
Datu strobi	Viens gals	Vienpusēji vai diferenciāli	Tikai diferenciālis
Moduļi	Reģistrēts 184-pin DIMM, kas nav buferēts; 200 kontaktu SODIMM; 172 kontaktu MicroDIMM	Reģistrēts 240-pin DIMM bez bufera; 200 kontaktu SODIMM; 214 kontaktu MicroDIMM	240-kontaktu DIMM (tāds pats izmērs kā DDR2, bet ir elektriski nesaderīgs ar DDR2 DIMM un ir atšķirīga atslēgu atrašanās vieta). DDR3 SO-DIMM ir 204 tapas.
Prefetch bufer (bit)	2	4	8

Starpība starp Sony Xperia P un Samsung Galaxy S2

Galvenā atšķirība: Sony Xperia P piedāvā 4 collu TFT skārienekrānu, kas nodrošina līdz pat 4 pieskārienu iespējas. Ekrāns ir izturīgs pret skrāpējumiem un ir izturīgs pret pārklājumu. Skārienekrāns nodrošina aptuveni 275 ppi pikseļu blīvumu kopā ar WhiteMagic tehnoloģiju, kas pievieno papildus baltu pikseļu ar jau esošo sarkano, zilo un zaļo. Samsung Galaxy S2 tika pala